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中科院宁波材料所杨洪新研究员做客强磁场科学论坛
文章来源: 黄晓敏 发布时间: 2018-01-12
  18日,中国科学院宁波材料技术与工程研究所杨洪新研究员应邀做客强磁场科学论坛,做了题为Spintronic Phenomena at Interfaces的学术报告。 

  杨洪新在报告中主要介绍了界面处新颖的自旋电子学理论研究。界面处对称性破缺往往伴随着自旋轨道耦合、自旋电子学等方面新的物理现象,并且对于未来的自旋电子学器件的研发具有重要意义。杨洪新首先介绍了石墨烯中的磁近邻效应,又分别介绍了铁磁/氧化物界面和铁磁/石墨烯界面诱导的垂直磁各向异性并分析了其内在物理机制,最后重点介绍了最近在3d/5d金属和石墨烯/铁磁界面处的Dzyaloshinskii-Moriya相互作用。 

  杨洪新,2012年于法国国家科学研究中心(CNRS)、法国原子能中心(CEA)以及格勒诺布尔大学(UJF)合办的SPINTEC实验室获得博士学位,后陆续在法国、澳大利亚及日本从事科学研究工作,2016年获得中组部青年千人计划资助,2017年加入中科院宁波材料技术与工程研究所,并任中国科学院磁性材料与器件重点实验室副主任。研究兴趣主要集中在自旋电子学,已在Nature Nanotech.Phys. Rev. Lett.Nano Lett.Adv. Mater.等杂志上发表论文35篇,在铁磁金属与氧化物界面自旋电子学,5d3d金属界面的自旋轨道电子学,以及石墨烯自旋电子学等领域都有文章入选ESI高引用论文。

   

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