5月17日上午，应固体所极端环境量子物质中心和青联会的邀请，北京大学张艳锋教授访问固体所，并作题为“二维过渡族金属硫属化合物的可控制备和新奇物理化学特性”的学术报告。报告会由固体所副所长曾雉研究员主持。

　　二维过渡族金属硫属化合物作为继石墨烯之后发展的一大类新型二维材料，在原子尺度上，展现了一系列独特的优异性能，在光电器件等方面有很广阔的应用前景。在报告中，张艳锋教授主要就材料的可控生长以及其新奇的物理化学特性两个方面进行展，介绍了课题组在二维过渡金属化合物的可控制备、光电性能、电催化等方面的重要突破。主要内容包括：（1）发展多种Graphene/H-BN异质结构的制备新方法；（2）单层过渡金属硫属化合物及其异质结构的制备，如：普通玻璃上6英寸均匀单层MoS₂的高效制备和绿色转移；金箔上单层MoS₂/Graphene异质结构的可控构筑和应用探索；金箔上CVD制备MoS₂/WS₂和WS2/MoS₂异质结结构等等。（3）金属性二维2H-TaS₂的可控制备和超高电催化活性研究。这次学术报告吸引了来自固体所、强磁场中心等多个单位的科研人员和学生参加。会后，与会人员就MoS₂、2H-TaS₂等材料的生长方法以及其物理性能等感兴趣的科研问题进行了深入的探讨。

　　张艳锋教授目前致力于二维新材料及其异质结构的可控制备、精密表征以及新奇特性研究。已在Science, Nat. Commun., Adv. Mater.等杂志发表论文160余篇。