专利名称：过渡族金属离子掺杂的镁铝尖晶石晶体的提拉法生长方法 

申 请 号 

CN201410626058.7 

申 请 日 

2014.11.08 

公开（公告）号 

CN104374475B 

公开（公告）日 

2017.02.22 

申请（专利权）人 

中国科学院合肥物质科学研究院

发 明 人 

孙贵花；张庆礼；殷绍唐；孙敦陆； 刘文鹏；罗建乔；王小飞；谷长江

专利类型 

发明专利

摘 要 

本发明公开了一种过渡族金属离子掺杂的镁铝尖晶石晶体的生长方法，晶体分子式可表示为TM2xMgAl2(1？x)O4和TM'yMg1？yAl2O4（TM=Ti3+，Cr3+，Fe3+，Ni3+；TM'=Mn2+，V2+，Co2+，0<x<1，0<y<1），其特征在于，采用火焰法合成的MgAl2O4多晶原料，将其和比例浓度配制的过渡族金属氧化物放入铱坩埚中，将其充分受热熔化，采用镁铝尖晶石晶体或掺杂镁铝尖晶石作为籽晶，用提拉法进行晶体生长。本发明可获得大尺寸、高质量的晶体，有望用于微细加工、激光医疗、激光化学、激光印刷、军事应用、水下通讯和轴同位素分离等领域。

IPC信息 

IPC主分类号 

C30B29/22(2006.01) 

IPC分类号 

C30B29/22(2006.01) C30B15/00(2006.01) 

C化学；冶金

C30晶体生长

C30B单晶生长

C30B29/00以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料